靶材的鍍膜凱澤金屬在之前的文章中簡(jiǎn)單講過(guò)，在濺射的過(guò)程中，對(duì)靶材的質(zhì)量相比于傳統(tǒng)的材料行業(yè)來(lái)說(shuō)，要求較為高些。在“靶材質(zhì)量對(duì)大面積鍍膜生產(chǎn)的三大影響” 本文中，凱澤金屬為大家介紹了靶材相對(duì)密度和孔隙的影響、形狀的影響以及晶粒尺寸和結(jié)晶方向的影響。

濺射鈦靶材的純度對(duì)要進(jìn)行鍍薄膜的性能影響比較大。當(dāng)表面清潔的玻璃進(jìn)入高真空鍍膜腔室內(nèi)，如果靶材純度不夠，在電場(chǎng)及磁場(chǎng)的作用下，靶材中的雜質(zhì)顆粒在濺射過(guò)程中會(huì)附著到玻璃表面，造成部分位置的膜層不牢固出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。因此，靶材的純度越高，所鍍薄膜的性能越好。尹榮德在對(duì)純度為99.9%的銅靶進(jìn)行研究的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在Cu靶制備的過(guò)程中難免會(huì)引入硫和鉛元素，微量S的加入可以防止熱加工過(guò)程中晶粒尺寸變大和產(chǎn)生微裂紋等使表面粗糙的情況發(fā)生。

但是含量添加高于18ppm時(shí)，又會(huì)出現(xiàn)微裂紋，隨著S、Pb兩種雜質(zhì)元素量的增加，靶材裂紋數(shù)量及打弧放電次數(shù)均會(huì)有所增加。所以應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量，減少濺射薄膜污染源，提高薄膜的均勻性。

對(duì)于導(dǎo)熱性能差的靶材，例如SiA1靶，常會(huì)由于靶材內(nèi)存在雜質(zhì)引起傳熱受阻，或者生產(chǎn)使用的冷卻水溫和實(shí)際鍍膜線水溫存在差異等原因造成使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂般情況下，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)造成很大的影響。但當(dāng)靶材出現(xiàn)較為明顯的裂縫時(shí)，電荷非常容易在裂縫部位邊緣集中，從而導(dǎo)致靶表異常放電。放電現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)掉渣，成膜異常，產(chǎn)品報(bào)廢量增加。所以在制備靶材的過(guò)程中，除控制純度外，也應(yīng)該控制制備工藝條件。

對(duì)于合金靶材，常會(huì)出現(xiàn)材料分布不均的現(xiàn)象，如SiAl靶中的鋁團(tuán)聚，鋅鋁靶中鋁的偏析(鋁的原子質(zhì)量為27小于鋅的原子質(zhì)量65,澆注后在冷卻過(guò)程中鋁會(huì)上浮，引起側(cè)鋁含量高，側(cè)低)。由于熔點(diǎn)低，SiA1靶中團(tuán)聚的Al在濺射成膜過(guò)程中非常容易出現(xiàn)掉渣，而噴涂過(guò)程中A1的加入量是定的，部分出現(xiàn)團(tuán)聚時(shí)說(shuō)明其它位置鋁含量偏少，影響SiA1靶的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性，從而使濺射速率出現(xiàn)不致，膜層均勻性變差，靶材出現(xiàn)開(kāi)裂，加劇靶材放電的現(xiàn)象，也會(huì)降低成膜質(zhì)量。而靶材成分的偏析會(huì)影響濺射速率(膜層均勻性)和膜層成分。因此，除控制靶材純度外，合金靶中材質(zhì)的分布也是至關(guān)重要的。

以上就是靶材純度和材質(zhì)均勻性對(duì)大面積鍍膜生產(chǎn)的影響，大家記住了么？在鍍膜之前定要牢牢把控住對(duì)質(zhì)量的把控，之后小凱澤金屬還會(huì)為大家介紹其他在鍍膜時(shí)，哪些因素會(huì)產(chǎn)生影響。還請(qǐng)關(guān)注寶雞市凱澤金屬材料有限公司。

相關(guān)鏈接